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氧化物背板技术创新,Micro LED “超高迁移率” 优化趋势——惠科正式参编2025MLED白皮书
2025.08.28


迁移率是衡量半导体器件性能的核心指标之一,更高迁移率意味着在相同尺寸下器件可提供更大驱动电流,从而显著提升整体性能。氧化物半导体凭借高电子迁移率、优异的环境稳定性、出色的光学透明性以及良好的大面积均匀性等优势,已成为当前半导体与显示技术领域的重要发展方向。

基于氧化物TFT的超薄OLED电视机与柔性显示屏

氧化物技术在薄膜晶体管(TFT)应用中表现出低关态电流、高开态电流、制程简单和大尺寸兼容等特点,逐步成为高性能显示产品的关键技术路线。在兼顾高品质显示与低功耗需求方面,氧化物技术正展现出日益突出的价值。早在氧化物技术发展初期,其在TFT显示领域的研究与应用即已广泛展开。氧化物TFT推动了2010年代中期柔性透明显示技术的商业化进程,为可折叠设备、可穿戴电子产品、智能车载显示以及高性能传感器等创新应用提供了关键支撑。与此同时,该技术与印刷电子工艺的深度融合,助力实现大面积、低成本、多样化集成的器件制造,进一步拓展了其商业化应用场景。近年来,高迁移率氧化物在Micro LED背板技术中的研究不断深入。该类材料可大幅提高Micro LED显示屏的响应速度并降低功耗,在支持超高分辨率的同时优化像素驱动性能。

例如,惠科已成功点亮行业首款玻璃基高迁移率氧化物(HMO)背板Micro LED直显屏,其电子迁移率达到传统非晶硅材料的2050倍,实现了1000nit的峰值亮度、95%的亮度均匀性以及超过1,000,000:1的对比度。展望未来,随着高迁移率氧化物材料持续突破与工艺优化,其有望为Micro LED背板技术带来更多创新支撑,推动显示技术向更高性能与更低功耗方向演进。*以上部分来源2025 MLED显示产业白皮书》10月即将发布!

惠科已正式参编

NOTICE

重要通知

目前,2025 MLED显示产业白皮书》已经进入调研编撰阶段,将于202510月举办的2025半导体显示产业年会上进行发布,欢迎届时莅临!

 

由中国电子视像行业协会指导、中国电子视像行业协会微发光二极管显示产业分会(CMMA)主办的2025半导体显示产业年会将于20251011-12上海新国际博览中心举办。

本次年会以“技术突破与生态协同”为主线,汇聚半导体显示产业链上下游企业、科研机构及行业专家,聚焦Mini/Micro LED背光与直显技术、AR/VR微显示创新、国产化供应链建设等议题,旨在搭建技术交流、资源对接、标准共建的高效平台,加速技术从实验室到商业化的跨越,助力中国在全球半导体显示产业中占据领先地位。


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